抗辐照SRAM（15Mrad(Si)）

发布时间：2025-6-17 9:58:7 加入购物车

REDCAT主要产品是易失性与非易失性抗辐照存储器，采用最优的CMOS工艺进程。CMOS:指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺

 

RedCat Devices proprietary techniques for Radiation Hardening By Design (RHBD) include differents approaches: 1) RHBD at Architecture Level (RHBD-AL); 2) RHBD at Circuit Level (RHBD-CL); 3) RHBD at Layout Level (RHBD-LL).

 

RCD是在设计上进行抗辐照加固（RHBD), 同时这也分三个层面：

1）RHBD-AL，即在结构、材料级进行抗辐照加固设计

2）RHBD-CL，在电路设计上进行抗辐照加固

3）RHBD-LL，在电路板布局上进行抗辐照加固

 

RCD现有5类存储器，全部为SRAMs，最大存储为4M，

Rad-Hard Components

 

 

 

 

 

 

分三个级别：

RadTrapH SRAM Cell suitable for High Energy Physics，后缀H的是最优级别，即高能物理环境适应级别

RadTrapS SRAM Cell suitable for Space applications，后缀S是宇航级适应级别

RadTrapM SRAM Cell suitable for Basic Radiation Tolerance，后缀M的是基本辐射环境适应级别